-
1 Self-Aligned CMOS
abbr. SACMOS -
2 Silicon-Gate Self-Aligned Junction Insulation
Универсальный русско-немецкий словарь > Silicon-Gate Self-Aligned Junction Insulation
-
3 КМОП ИС с самосовмещённым затвором
abbrelectr. Self-Aligned CMOSУниверсальный русско-немецкий словарь > КМОП ИС с самосовмещённым затвором
-
4 КМОП-структура с самосовмещённым затвором
abbrelectr. Self-Aligned CMOSУниверсальный русско-немецкий словарь > КМОП-структура с самосовмещённым затвором
-
5 технология КМОП ИС с самосовмещёнными затворами
n1) electr. Self-Aligned CMOS2) microel. SACMOS-Verfahren, SACтехнология КМОП ИС с самосовмещёнными затворамиMOS-VerfahrenУниверсальный русско-немецкий словарь > технология КМОП ИС с самосовмещёнными затворами
-
6 КМОП ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворами и изоляцией p-n-переходами
Универсальный русско-немецкий словарь > КМОП ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворами и изоляцией p-n-переходами
-
7 технология КМОП ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворами и изоляцией p-n-переходами
Универсальный русско-немецкий словарь > технология КМОП ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворами и изоляцией p-n-переходами
См. также в других словарях:
Integrated circuit — Silicon chip redirects here. For the electronics magazine, see Silicon Chip. Integrated circuit from an EPROM memory microchip showing the memory blocks, the supporting circuitry and the fine silver wires which connect the integrated circuit die… … Wikipedia
MOSFET — Two power MOSFETs in the surface mount package D2PAK. Operating as switches, each of these components can sustain a blocking voltage of 120 volts in the OFF state, and can conduct a continuous current of 30 amperes in the ON state, dissipating up … Wikipedia
Multigate device — A multigate device or multiple gate field effect transistor(MuGFET) refers to a MOSFET which incorporates more than one gate into a single device. The multiple gates may be controlled by a single gate electrode, wherein the multiple gate surfaces … Wikipedia
Carbon nanotube — Not to be confused with Carbon fiber. Part of a series of articles on Nanomaterials Fullerenes … Wikipedia
Depletion-load NMOS logic — Depletion load nMOS/NMOS (n channel metal oxide semiconductor) is a form of nMOS logic family which uses depletion mode n type MOSFETs as load transistors as a method to enable single voltage operation and achieve greater speed than possible with … Wikipedia
Microelectromechanical system oscillator — Microelectromechanical system (MEMS) oscillators are timing devices that generate highly stable reference frequencies. These reference frequencies are used to sequence electronic systems, manage data transfer, define radio frequencies, and… … Wikipedia
Intel 4004 — Intel C4004 microprocessor Produced From late 1971 to 1981 Common manufacturer(s) Intel Max. CPU clock rate … Wikipedia
32 nanometer — The 32 nanometer (32 nm) process (also called 32 nanometer node) is the next step after the 45 nanometer process in CMOS manufacturing and fabrication. 32 nm refers to the expected average half pitch of a memory cell at this technology level. The … Wikipedia
Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor — Der Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor (englisch metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET auch MOS FET, selten MOST) gehört zu den Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate, auch als IGFET bezeichnet. Er ist den… … Deutsch Wikipedia
Double Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor — Der Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor (englisch: metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET auch MOS FET, selten MOST) ist eine Variante der Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate (IGFET), genauer der Metall Isolator… … Deutsch Wikipedia
Dual-Gate-MOSFET — Der Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor (englisch: metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET auch MOS FET, selten MOST) ist eine Variante der Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate (IGFET), genauer der Metall Isolator… … Deutsch Wikipedia
